半导体储存器领域NPE诉讼高发，我国多家企业被诉

半导体储存器领域NPE诉讼高发，我国多家企业被诉

2024年8月12日至8月14日，美国InnoMemory, LLC（以下简称InnoMemory）以发明专利侵权为由在德克萨斯州东区法院连续发起9起诉讼，多家国内科技企业进入被告名单。近年来，InnoMemory多次凭借其US7057960B1及US6240046B1两件发明专利在美国地方法院发起侵权诉讼，目标主要为科技型企业及银行机构，建议相关领域企业注意规避侵权风险。

       一、原告简介

       InnoMemory是一家成立于美国德克萨斯州的有限责任公司，其主营地址为261 West 35th Street – Suite 1003, New York NY 10001-1902。InnoMemory当前持有专利40余组，主要涉及半导体领域。值得注意的是，InnoMemory的专利多为2018年前后受让所得，转让方包括高智发明公司、半导体巨头Integrated Device Technology等。目前，InnoMemory已被Unified Patent平台归类为NPE（non-practicing entities，非专利实施主体）。

       二、InnoMemory历史诉讼信息

       根据Lexmachina数据显示，InnoMemory在美国联邦地区法院主动发起53起知识产权诉讼，且案由均为发明专利侵权。此外，InnoMemory尤其青睐德克萨斯州东区以及西区法院，在上述法院提起的案件分别占比51%和40%。从涉案专利来看，上述53起诉讼中，有45起涉及专利US7057960B1，36起涉及专利US6240046B1，二者均为高频涉案专利。

InnoMemory诉讼趋势（来源：Lexmachina数据库）

专利US6240046B1诉讼趋势（来源：Lexmachina数据库）

专利US7057960B1诉讼趋势（来源：Lexmachina数据库）

从案件审理结果来看，在已结案的35起案件中，有30起以和解结案，另有5起案件因程序性决议结案。

       三、涉案产品简介

       涉案产品主要为半导体存储器。在多数案件中，InnoMemory均主张涉案产品的半导体存储器电路的构成方式以及减少能耗的功能和方式侵犯了其专利权。

涉案产品示例（来源：InnoMemory LLC v. Panasonic Corporation of North America起诉书）

四、涉案专利

       目前，InnoMemory发起诉讼的权利基础主要为US7057960B1及US6240046B1，均涉及降低存储设备功耗相关技术。US7057960B1于2003年7月29日申请，2006年6月6日授权，已于2022年失效。该发明专利的主题为一种用于降低存储设备在刷新操作中的功耗方法和架构，通过提供一种用于诸如存储单元刷新操作之类的在后台操作期间减少存储设备的功耗方法和/或架构,以实现减少存储设备待机功率需求的技术效果。该专利部分附图如下：

US7057960B1专利附图（来源：智慧芽）

US6240046B1于2000年2月11日申请，2001年5月29日授权，已于2020年失效。该发明专利的主题为在单个时钟周期内读取一个或多个数据字的集成电路随机存取存储器，实现读取操作中显著节省功率的效果。该专利部分附图如下：

US6240046B1专利附图（来源：智慧芽）

五、风险提示

       近期InnoMemory利用半导体储存器领域中，其拥有的此类过期专利，频繁在美国向科技型企业及银行机构发起专利侵权诉讼。值得注意的是，尽管其专利已过期，但美国专利权人可以向从诉讼提起之日前6年内且属于专利有效期间的侵权行为寻求赔偿。

来源：海外知识产权纠纷应对指导内部工作系统